Número de pieza | FJN3305RBU | Fabricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
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Descripción | TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
cantidad disponible | 5953 pcs stock | Ficha de datos | FJN3305RBU.pdf |
Tensión - Colector-emisor (máx) | 50V | VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Tipo de transistor | NPN - Pre-Biased | Paquete del dispositivo | TO-92-3 |
Serie | - | Resistor - Base del emisor (R2) | 10 kOhms |
Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms | Potencia - Max | 300mW |
embalaje | Bulk | Paquete / Cubierta | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Tipo de montaje | Through Hole | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Frecuencia - Transición | 250MHz |
Descripción detallada | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 300mW Through Hole TO-92-3 | DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V |
Corriente - corte del colector (Max) | 100nA (ICBO) | Corriente - colector (Ic) (Max) | 100mA |
Número de pieza base | FJN3305 |
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