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Productos semiconductores discretos
Transistores-bipolar (BJT)-solo, presesgado
MMUN2214LT1G

MMUN2214LT1G

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AMI Semiconductor / ON SemiconductorAMI Semiconductor / ON Semiconductor
Número de pieza:
MMUN2214LT1G
Fabricante / Marca:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto:
TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3
Especificaciones:
MMUN2214LT1G.pdf
Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock:
5624978 pcs stock
Nave de:
Hong Kong
Manera del envío:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Especificaciones de MMUN2214LT1G

AMI Semiconductor / ON SemiconductorAMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Número de pieza MMUN2214LT1G Fabricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3 Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible 5624978 pcs stock Ficha de datos MMUN2214LT1G.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx) 50V VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Tipo de transistor NPN - Pre-Biased Paquete del dispositivo SOT-23-3 (TO-236)
Serie - Resistor - Base del emisor (R2) 47 kOhms
Resistor - Base (R1) 10 kOhms Potencia - Max 246mW
embalaje Tape & Reel (TR) Paquete / Cubierta TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Otros nombres MMUN2214LT1G-ND
MMUN2214LT1GOSTR
Tipo de montaje Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited) Tiempo de entrega estándar del fabricante 36 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant Descripción detallada Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 246mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V Corriente - corte del colector (Max) 500nA
Corriente - colector (Ic) (Max) 100mA Número de pieza base MMUN22**L
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