Número de pieza | MMUN2214LT1G | Fabricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
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Descripción | TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
cantidad disponible | 5624978 pcs stock | Ficha de datos | MMUN2214LT1G.pdf |
Tensión - Colector-emisor (máx) | 50V | VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Tipo de transistor | NPN - Pre-Biased | Paquete del dispositivo | SOT-23-3 (TO-236) |
Serie | - | Resistor - Base del emisor (R2) | 47 kOhms |
Resistor - Base (R1) | 10 kOhms | Potencia - Max | 246mW |
embalaje | Tape & Reel (TR) | Paquete / Cubierta | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Otros nombres | MMUN2214LT1G-ND MMUN2214LT1GOSTR |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Tiempo de entrega estándar del fabricante | 36 Weeks |
Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Descripción detallada | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 246mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) |
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V | Corriente - corte del colector (Max) | 500nA |
Corriente - colector (Ic) (Max) | 100mA | Número de pieza base | MMUN22**L |
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