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Productos semiconductores discretos
Transistores-bipolar (BJT)-solo, presesgado
MUN5211T1G

MUN5211T1G

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AMI Semiconductor / ON SemiconductorAMI Semiconductor / ON Semiconductor
Número de pieza:
MUN5211T1G
Fabricante / Marca:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto:
TRANS PREBIAS NPN 310MW SC70-3
Especificaciones:
MUN5211T1G.pdf
Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock:
2056211 pcs stock
Nave de:
Hong Kong
Manera del envío:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Especificaciones de MUN5211T1G

AMI Semiconductor / ON SemiconductorAMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Número de pieza MUN5211T1G Fabricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción TRANS PREBIAS NPN 310MW SC70-3 Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible 2056211 pcs stock Ficha de datos MUN5211T1G.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx) 50V VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Tipo de transistor NPN - Pre-Biased Paquete del dispositivo SC-70-3 (SOT323)
Serie - Resistor - Base del emisor (R2) 10 kOhms
Resistor - Base (R1) 10 kOhms Potencia - Max 202mW
embalaje Cut Tape (CT) Paquete / Cubierta SC-70, SOT-323
Otros nombres MUN5211T1GOSCT Tipo de montaje Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited) Tiempo de entrega estándar del fabricante 12 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant Descripción detallada Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 202mW Surface Mount SC-70-3 (SOT323)
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce 35 @ 5mA, 10V Corriente - corte del colector (Max) 500nA
Corriente - colector (Ic) (Max) 100mA Número de pieza base MUN52**T
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