AMI Semiconductor / ON Semiconductor
AMI Semiconductor / ON Semiconductor| Número de pieza | NJVMJD128T4G | Fabricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descripción | TRANS PNP DARL 120V 8A DPAK-4 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 247058 pcs stock | Ficha de datos | NJVMJD128T4G.pdf |
| Tensión - Colector-emisor (máx) | 120V | VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic | 4V @ 80mA, 8A |
| Tipo de transistor | PNP - Darlington | Paquete del dispositivo | DPAK |
| Serie | - | Potencia - Max | 1.75W |
| embalaje | Cut Tape (CT) | Paquete / Cubierta | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Otros nombres | NJVMJD128T4GOSCT | Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 2 Weeks | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Frecuencia - Transición | - | Descripción detallada | Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 120V 8A 1.75W Surface Mount DPAK |
| DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 4A, 4V | Corriente - corte del colector (Max) | 5mA |
| Corriente - colector (Ic) (Max) | 8A | ||
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