Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.| Número de pieza | AOTF11C60P_001 | Fabricante | Alpha and Omega Semiconductor, Inc. |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 600V 11A TO220F | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 4465 pcs stock | Ficha de datos | AOTF11C60P_001.pdf |
| VGS (th) (Max) @Id | 5V @ 250µA | Vgs (Max) | ±30V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | TO-220F |
| Serie | - | RDS (Max) @Id, Vgs | 400 mOhm @ 5.5A, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 50W (Tc) | embalaje | Tube |
| Paquete / Cubierta | TO-220-3 Full Pack | Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2333pF @ 100V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 50nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Característica de FET | - | Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 600V | Descripción detallada | N-Channel 600V 11A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220F |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 11A (Tc) | ||
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