| Número de pieza | BYG10MHE3/TR | Fabricante | Vishay Semiconductor Diodes Division |
|---|---|---|---|
| Descripción | DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 486388 pcs stock | Ficha de datos | 1.BYG10MHE3/TR.pdf2.BYG10MHE3/TR.pdf |
| Tensión - inversa de pico (máxima) | Avalanche | Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ | 1.5A |
| Tensión - Desglose | DO-214AC (SMA) | Serie | - |
| Estado RoHS | Tape & Reel (TR) | Tiempo de recuperación inversa (trr) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Resistencia @ Si, F | - | Polarización | DO-214AC, SMA |
| Temperatura de funcionamiento - Junction | 4µs | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Tiempo de entrega estándar del fabricante | 14 Weeks |
| Número de pieza del fabricante | BYG10MHE3/TR | Descripción ampliada | Diode Avalanche 1000V (1kV) 1.5A Surface Mount DO-214AC (SMA) |
| configuración de diodo | 1µA @ 1000V | Descripción | DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A |
| Corriente - Fuga inversa a Vr | 1.15V @ 1.5A | Corriente - rectificada media (Io) (por Diode) | 1000V (1kV) |
| Capacitancia Vr, F | -55°C ~ 150°C | ||
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