Cypress Semiconductor
Cypress Semiconductor| Número de pieza | CYD18S18V18-200BBAXC | Fabricante | Cypress Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descripción | IC SRAM 18M PARALLEL 256FBGA | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 363 pcs stock | Ficha de datos | CYD18S18V18-200BBAXC.pdf |
| Escribir tiempo de ciclo - Word, Página | - | Suministro de voltaje | 1.42 V ~ 1.58 V, 1.7 V ~ 1.9 V |
| Tecnología | SRAM - Dual Port, Synchronous | Paquete del dispositivo | 256-FBGA (17x17) |
| Serie | - | embalaje | Tray |
| Paquete / Cubierta | 256-LBGA | Otros nombres | 428-2036 CYD18S18V18200BBAXC |
| Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 3 (168 Hours) | Tipo de memoria | Volatile |
| Tamaño de la memoria | 18Mb (1M x 18) | Interfaz de memoria | Parallel |
| Formato de memoria | SRAM | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Descripción detallada | SRAM - Dual Port, Synchronous Memory IC 18Mb (1M x 18) Parallel 200MHz 3.3ns 256-FBGA (17x17) | Frecuencia de reloj | 200MHz |
| Número de pieza base | CYD18S18 | Tiempo de acceso | 3.3ns |
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|---|---|---|
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