Número de pieza | SI6966DQ-T1-GE3 | Fabricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
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Descripción | MOSFET 2N-CH 20V 4A 8TSSOP | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
cantidad disponible | 4404 pcs stock | Ficha de datos | SI6966DQ-T1-GE3.pdf |
VGS (th) (Max) @Id | 1.4V @ 250µA | Paquete del dispositivo | 8-TSSOP |
Serie | TrenchFET® | RDS (Max) @Id, Vgs | 30 mOhm @ 4.5A, 4.5V |
Potencia - Max | 830mW | embalaje | Tape & Reel (TR) |
Paquete / Cubierta | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) | Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 20nC @ 4.5V | Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Característica de FET | Logic Level Gate | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 20V |
Descripción detallada | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 4A 830mW Surface Mount 8-TSSOP | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 4A |
Número de pieza base | SI6966 |
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