Honeywell Microelectronics & Precision Sensors
Honeywell Microelectronics & Precision Sensors| Número de pieza | HTNFET-T | Fabricante | Honeywell Microelectronics & Precision Sensors |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 55V 4-PIN | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Contiene plomo / RoHS no conforme |
| cantidad disponible | 199 pcs stock | Ficha de datos | HTNFET-T.pdf |
| VGS (th) (Max) @Id | 2.4V @ 100µA | Vgs (Max) | 10V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | 4-Power Tab |
| Serie | HTMOS™ | RDS (Max) @Id, Vgs | 400 mOhm @ 100mA, 5V |
| La disipación de energía (máximo) | 50W (Tj) | embalaje | Bulk |
| Paquete / Cubierta | 4-SIP | Otros nombres | 342-1091 HTNFET-T-ND HTNFETT |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 225°C (TJ) | Tipo de montaje | Through Hole |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Tiempo de entrega estándar del fabricante | 8 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 290pF @ 28V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 4.3nC @ 5V | Tipo FET | N-Channel |
| Característica de FET | - | Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 55V | Descripción detallada | N-Channel 55V 50W (Tj) Through Hole 4-Power Tab |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | - | ||
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