IXYS Corporation
IXYS Corporation| Número de pieza | IXFT13N80Q | Fabricante | IXYS Corporation |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 800V 13A TO-268 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 8863 pcs stock | Ficha de datos | IXFT13N80Q.pdf |
| VGS (th) (Max) @Id | 4.5V @ 4mA | Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | TO-268 |
| Serie | HiPerFET™ | RDS (Max) @Id, Vgs | 700 mOhm @ 6.5A, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 250W (Tc) | embalaje | Tube |
| Paquete / Cubierta | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3250pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 90nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Característica de FET | - | Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 800V | Descripción detallada | N-Channel 800V 13A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount TO-268 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 13A (Tc) | ||
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