Número de pieza | IRF7901D1TR | Fabricante | International Rectifier (Infineon Technologies) |
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Descripción | MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 8SOIC | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Contiene plomo / RoHS no conforme |
cantidad disponible | 6009 pcs stock | Ficha de datos | IRF7901D1TR.pdf |
VGS (th) (Max) @Id | 1V @ 250µA | Paquete del dispositivo | 8-SO |
Serie | FETKY™ | RDS (Max) @Id, Vgs | 38 mOhm @ 5A, 4.5V |
Potencia - Max | 2W | embalaje | Tape & Reel (TR) |
Paquete / Cubierta | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Estado sin plomo / Estado RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 780pF @ 16V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 10.5nC @ 5V | Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Característica de FET | Logic Level Gate | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 30V |
Descripción detallada | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6.2A 2W Surface Mount 8-SO | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 6.2A |
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