LAPIS Semiconductor
LAPIS Semiconductor| Número de pieza | RR1LAM6STR | Fabricante | LAPIS Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descripción | DIODE GEN PURP 600V 1A PMDTM | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 1266774 pcs stock | Ficha de datos | 1.RR1LAM6STR.pdf2.RR1LAM6STR.pdf |
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ | 1.1V @ 1A | Voltaje - Inverso (Vr) (máx) | 600V |
| Paquete del dispositivo | PMDTM | Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Serie | - | embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | SOD-128 | Temperatura de funcionamiento - Junction | 150°C (Max) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 20 Weeks | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo de diodo | Standard | Descripción detallada | Diode Standard 600V 1A Surface Mount PMDTM |
| Corriente - Fuga inversa a Vr | 10µA @ 600V | Corriente - rectificada media (Io) | 1A |
| Capacitancia Vr, F | - | ||
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|---|---|---|
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