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MT29F1T208EGHBBG1-3R:B TR

MT29F1T208EGHBBG1-3R:B TR

Micron Technology
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Micron TechnologyMicron Technology
Número de pieza:
MT29F1T208EGHBBG1-3R:B TR
Fabricante / Marca:
Micron Technology
Descripción del producto:
IC FLASH 1.125T PARALLEL 333MHZ
Especificaciones:
Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock:
1101 pcs stock
Nave de:
Hong Kong
Manera del envío:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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Especificaciones de MT29F1T208EGHBBG1-3R:B TR

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Número de pieza MT29F1T208EGHBBG1-3R:B TR Fabricante Micron Technology
Descripción IC FLASH 1.125T PARALLEL 333MHZ Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible 1101 pcs stock Ficha de datos
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página - Suministro de voltaje 2.5 V ~ 3.6 V
Tecnología FLASH - NAND Serie -
embalaje Tape & Reel (TR) Otros nombres MT29F1T208EGHBBG1-3R:B TR-ND
MT29F1T208EGHBBG1-3R:BTR
Temperatura de funcionamiento 0°C ~ 70°C (TA) Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 3 (168 Hours)
Tipo de memoria Non-Volatile Tamaño de la memoria 1.125Tb (144G x 8)
Interfaz de memoria Parallel Formato de memoria FLASH
Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant Descripción detallada FLASH - NAND Memory IC 1.125Tb (144G x 8) Parallel 333MHz
Frecuencia de reloj 333MHz  
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