Número de pieza | APTMC60TL11CT3AG | Fabricante | Microsemi |
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Descripción | MOSFET 4N-CH 1200V 28A SP3 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
cantidad disponible | 512 pcs stock | Ficha de datos | APTMC60TL11CT3AG.pdf |
VGS (th) (Max) @Id | 2.2V @ 1mA | Paquete del dispositivo | SP3 |
Serie | - | RDS (Max) @Id, Vgs | 98 mOhm @ 20A, 20V |
Potencia - Max | 125W | embalaje | Bulk |
Paquete / Cubierta | SP3 | Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Chassis Mount | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Tiempo de entrega estándar del fabricante | 32 Weeks | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 950pF @ 1000V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 49nC @ 20V |
Tipo FET | 4 N-Channel (Three Level Inverter) | Característica de FET | Silicon Carbide (SiC) |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 1200V (1.2kV) | Descripción detallada | Mosfet Array 4 N-Channel (Three Level Inverter) 1200V (1.2kV) 28A (Tc) 125W Chassis Mount SP3 |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 28A (Tc) |
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