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Productos semiconductores discretos
Transistores bipolares (BJT)-Single
JAN2N6251T1

JAN2N6251T1

Microsemi
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MicrosemiMicrosemi
Número de pieza:
JAN2N6251T1
Fabricante / Marca:
Microsemi
Descripción del producto:
TRANS NPN 350V 10A TO-3
Especificaciones:
JAN2N6251T1.pdf
Estado RoHS:
Contiene plomo / RoHS no conforme
Condición de stock:
4324 pcs stock
Nave de:
Hong Kong
Manera del envío:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Especificaciones de JAN2N6251T1

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Número de pieza JAN2N6251T1 Fabricante Microsemi
Descripción TRANS NPN 350V 10A TO-3 Estado Libre de plomo / Estado RoHS Contiene plomo / RoHS no conforme
cantidad disponible 4324 pcs stock Ficha de datos JAN2N6251T1.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx) 350V VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 1.67A, 10A
Tipo de transistor NPN Paquete del dispositivo TO-254AA
Serie Military, MIL-PRF-19500/510 Potencia - Max 6W
embalaje Bulk Paquete / Cubierta TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)
Otros nombres 1086-16190
1086-16190-MIL
Temperatura de funcionamiento -65°C ~ 200°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS Contains lead / RoHS non-compliant Frecuencia - Transición -
Descripción detallada Bipolar (BJT) Transistor NPN 350V 10A 6W Through Hole TO-254AA DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce 6 @ 10A, 3V
Corriente - corte del colector (Max) 1mA Corriente - colector (Ic) (Max) 10A
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