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Transistores-FETs, MOSFETs-escoja
STP5N95K3

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STMicroelectronicsSTMicroelectronics
Número de pieza:
STP5N95K3
Fabricante / Marca:
STMicroelectronics
Descripción del producto:
MOSFET N-CH 950V 4A TO-220AB
Especificaciones:
STP5N95K3.pdf
Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock:
4727 pcs stock
Nave de:
Hong Kong
Manera del envío:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Especificaciones de STP5N95K3

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Número de pieza STP5N95K3 Fabricante STMicroelectronics
Descripción MOSFET N-CH 950V 4A TO-220AB Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible 4727 pcs stock Ficha de datos STP5N95K3.pdf
VGS (th) (Max) @Id 5V @ 100µA Vgs (Max) ±30V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) Paquete del dispositivo TO-220
Serie SuperMESH3™ RDS (Max) @Id, Vgs 3.5 Ohm @ 2A, 10V
La disipación de energía (máximo) 90W (Tc) embalaje Tube
Paquete / Cubierta TO-220-3 Otros nombres 497-10992-5
STP5N95K3-ND
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo de montaje Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited) Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 460pF @ 25V Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 19nC @ 10V
Tipo FET N-Channel Característica de FET -
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 950V
Descripción detallada N-Channel 950V 4A (Tc) 90W (Tc) Through Hole TO-220 Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 4A (Tc)
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