Número de pieza | S4B M6G | Fabricante | TSC (Taiwan Semiconductor) |
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Descripción | DIODE GEN PURP 100V 4A DO214AB | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
cantidad disponible | 444215 pcs stock | Ficha de datos | S4B M6G.pdf |
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ | 1.15V @ 4A | Voltaje - Inverso (Vr) (máx) | 100V |
Paquete del dispositivo | DO-214AB (SMC) | Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Serie | - | Tiempo de recuperación inversa (trr) | 1.5µs |
embalaje | Tape & Reel (TR) | Paquete / Cubierta | DO-214AB, SMC |
Otros nombres | S4B M6G-ND S4BM6G |
Temperatura de funcionamiento - Junction | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montaje | Surface Mount | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Tipo de diodo | Standard |
Descripción detallada | Diode Standard 100V 4A Surface Mount DO-214AB (SMC) | Corriente - Fuga inversa a Vr | 100µA @ 100V |
Corriente - rectificada media (Io) | 4A | Capacitancia Vr, F | 60pF @ 4V, 1MHz |
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