Toshiba Semiconductor and Storage
Toshiba Semiconductor and Storage| Número de pieza | SSM3K72KCT,L3F | Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 60V 0.4A | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 1109199 pcs stock | Ficha de datos | SSM3K72KCT,L3F.pdf |
| VGS (th) (Max) @Id | 2.1V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | CST3 |
| Serie | U-MOSVII-H | RDS (Max) @Id, Vgs | 1.5 Ohm @ 100mA, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 500mW (Ta) | embalaje | Cut Tape (CT) |
| Paquete / Cubierta | SC-101, SOT-883 | Otros nombres | SSM3K72KCTL3FCT |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 40pF @ 10V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 0.6nC @ 4.5V |
| Tipo FET | N-Channel | Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 60V |
| Descripción detallada | N-Channel 60V 400mA (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount CST3 | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 400mA (Ta) |
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