| Número de pieza | 1N483B | Fabricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descripción | DIODE GEN PURP 80V 200MA DO35 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 4232 pcs stock | Ficha de datos | 1N483B.pdf |
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ | 1V @ 100mA | Voltaje - Inverso (Vr) (máx) | 80V |
| Paquete del dispositivo | DO-35 | Velocidad | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Serie | - | embalaje | Bulk |
| Paquete / Cubierta | DO-204AH, DO-35, Axial | Temperatura de funcionamiento - Junction | 175°C (Max) |
| Tipo de montaje | Through Hole | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Tipo de diodo | Standard |
| Descripción detallada | Diode Standard 80V 200mA Through Hole DO-35 | Corriente - Fuga inversa a Vr | 25nA @ 60V |
| Corriente - rectificada media (Io) | 200mA | Capacitancia Vr, F | - |
| Número de pieza base | 1N483 | ||
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|---|---|---|
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