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Transistores-bipolar (BJT)-matrices
2SA1708T-YMH-AN

2SA1708T-YMH-AN

AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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AMI Semiconductor / ON SemiconductorAMI Semiconductor / ON Semiconductor
Número de pieza:
2SA1708T-YMH-AN
Fabricante / Marca:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto:
TRANS BIPO NMP
Especificaciones:
Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock:
3984 pcs stock
Nave de:
Hong Kong
Manera del envío:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Especificaciones de 2SA1708T-YMH-AN

AMI Semiconductor / ON SemiconductorAMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Número de pieza 2SA1708T-YMH-AN Fabricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción TRANS BIPO NMP Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible 3984 pcs stock Ficha de datos
Tensión - Colector-emisor (máx) 100V VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 40mA, 400mA
Tipo de transistor NPN, PNP Paquete del dispositivo 3-NMP
Serie - Potencia - Max 1W
embalaje Tape & Box (TB) Paquete / Cubierta SC-71
Tipo de montaje Through Hole Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant Frecuencia - Transición 120MHz
Descripción detallada Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 100V 1A 120MHz 1W Through Hole 3-NMP DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce 140 @ 100mA, 5V
Corriente - corte del colector (Max) 100nA (ICBO) Corriente - colector (Ic) (Max) 1A
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