Número de pieza | FJV4101RMTF | Fabricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
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Descripción | TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
cantidad disponible | 5857 pcs stock | Ficha de datos | 1.FJV4101RMTF.pdf2.FJV4101RMTF.pdf |
Tensión - Colector-emisor (máx) | 50V | VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Tipo de transistor | PNP - Pre-Biased | Paquete del dispositivo | SOT-23-3 (TO-236) |
Serie | - | Resistor - Base del emisor (R2) | 4.7 kOhms |
Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms | Potencia - Max | 200mW |
embalaje | Tape & Reel (TR) | Paquete / Cubierta | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Otros nombres | FJV4101RMTF-ND FJV4101RMTFTR |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Frecuencia - Transición | 200MHz | Descripción detallada | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) |
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 10mA, 5V | Corriente - corte del colector (Max) | 100nA (ICBO) |
Corriente - colector (Ic) (Max) | 100mA | Número de pieza base | FJV4101 |
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