AMI Semiconductor / ON Semiconductor
AMI Semiconductor / ON Semiconductor| Número de pieza | HUFA76633P3 | Fabricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 100V 38A TO-220AB | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 5072 pcs stock | Ficha de datos | 1.HUFA76633P3.pdf2.HUFA76633P3.pdf |
| VGS (th) (Max) @Id | 3V @ 250µA | Vgs (Max) | ±16V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | TO-220AB |
| Serie | UltraFET™ | RDS (Max) @Id, Vgs | 35 mOhm @ 39A, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 145W (Tc) | embalaje | Tube |
| Paquete / Cubierta | TO-220-3 | Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1820pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 67nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Característica de FET | - | Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 100V | Descripción detallada | N-Channel 100V 39A (Tc) 145W (Tc) Through Hole TO-220AB |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 39A (Tc) | ||
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