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Transistores-bipolar (BJT)-matrices presesgadas
NSBC123JPDXV6T1

NSBC123JPDXV6T1

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AMI Semiconductor / ON SemiconductorAMI Semiconductor / ON Semiconductor
Número de pieza:
NSBC123JPDXV6T1
Fabricante / Marca:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto:
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Especificaciones:
NSBC123JPDXV6T1.pdf
Estado RoHS:
Contiene plomo / RoHS no conforme
Condición de stock:
4593 pcs stock
Nave de:
Hong Kong
Manera del envío:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Especificaciones de NSBC123JPDXV6T1

AMI Semiconductor / ON SemiconductorAMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Número de pieza NSBC123JPDXV6T1 Fabricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 Estado Libre de plomo / Estado RoHS Contiene plomo / RoHS no conforme
cantidad disponible 4593 pcs stock Ficha de datos NSBC123JPDXV6T1.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx) 50V VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Tipo de transistor 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Paquete del dispositivo SOT-563
Serie - Resistor - Base del emisor (R2) 47 kOhms
Resistor - Base (R1) 2.2 kOhms Potencia - Max 500mW
embalaje Cut Tape (CT) Paquete / Cubierta SOT-563, SOT-666
Otros nombres NSBC123JPDXV6OSCT Tipo de montaje Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited) Estado sin plomo / Estado RoHS Contains lead / RoHS non-compliant
Frecuencia - Transición - Descripción detallada Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V Corriente - corte del colector (Max) 500nA
Corriente - colector (Ic) (Max) 100mA Número de pieza base NSBC1*
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