| Número de pieza | AS3PJHM3/86A | Fabricante | Vishay Semiconductor Diodes Division |
|---|---|---|---|
| Descripción | DIODE AVALANCHE 600V 2.1A TO277A | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 5568 pcs stock | Ficha de datos | AS3PJHM3/86A.pdf |
| Tensión - inversa de pico (máxima) | Avalanche | Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ | 2.1A (DC) |
| Tensión - Desglose | TO-277A (SMPC) | Serie | eSMP® |
| Estado RoHS | Tape & Reel (TR) | Tiempo de recuperación inversa (trr) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Resistencia @ Si, F | 37pF @ 4V, 1MHz | Polarización | TO-277, 3-PowerDFN |
| Temperatura de funcionamiento - Junction | 1.2µs | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Número de pieza del fabricante | AS3PJHM3/86A |
| Descripción ampliada | Diode Avalanche 600V 2.1A (DC) Surface Mount TO-277A (SMPC) | configuración de diodo | 10µA @ 600V |
| Descripción | DIODE AVALANCHE 600V 2.1A TO277A | Corriente - Fuga inversa a Vr | 920mV @ 1.5A |
| Corriente - rectificada media (Io) (por Diode) | 600V | Capacitancia Vr, F | -55°C ~ 175°C |
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