Advanced Linear Devices, Inc.
Advanced Linear Devices, Inc.| Número de pieza | ALD212908ASAL | Fabricante | Advanced Linear Devices, Inc. |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 25398 pcs stock | Ficha de datos | ALD212908ASAL.pdf |
| VGS (th) (Max) @Id | 20mV @ 10µA | Paquete del dispositivo | 8-SOIC |
| Serie | EPAD®, Zero Threshold™ | RDS (Max) @Id, Vgs | - |
| Potencia - Max | 500mW | embalaje | Tube |
| Paquete / Cubierta | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 8 Weeks | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | - |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Matched Pair | Característica de FET | Logic Level Gate |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 10.6V | Descripción detallada | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Matched Pair 10.6V 80mA 500mW Surface Mount 8-SOIC |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 80mA | ||
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