Número de pieza | AOTF4N60L | Fabricante | Alpha and Omega Semiconductor, Inc. |
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Descripción | MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO220F | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
cantidad disponible | 139274 pcs stock | Ficha de datos | AOTF4N60L.pdf |
VGS (th) (Max) @Id | 4.5V @ 250µA | Vgs (Max) | ±30V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | TO-220F |
Serie | - | RDS (Max) @Id, Vgs | 2.2 Ohm @ 2A, 10V |
La disipación de energía (máximo) | 35W (Tc) | embalaje | Tube |
Paquete / Cubierta | TO-220-3 Full Pack | Otros nombres | 785-1790 |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Through Hole |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Tiempo de entrega estándar del fabricante | 26 Weeks |
Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 615pF @ 25V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 18nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
Característica de FET | - | Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 600V | Descripción detallada | N-Channel 600V 4A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220F |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 4A (Tc) |
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