Número de pieza | SI7615CDN-T1-GE3 | Fabricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
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Descripción | MOSFET P-CH 20V 35A POWERPAK1212 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
cantidad disponible | 257762 pcs stock | Ficha de datos | SI7615CDN-T1-GE3.pdf |
VGS (th) (Max) @Id | 1V @ 250µA | Vgs (Max) | ±8V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | PowerPAK® 1212-8 |
Serie | TrenchFET® Gen III | RDS (Max) @Id, Vgs | 9 mOhm @ 12A, 4.5V |
La disipación de energía (máximo) | 33W (Tc) | embalaje | Tape & Reel (TR) |
Paquete / Cubierta | PowerPAK® 1212-8 | Otros nombres | SI7615CDN-T1-GE3TR |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3860pF @ 10V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 63nC @ 4.5V |
Tipo FET | P-Channel | Característica de FET | - |
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 20V |
Descripción detallada | P-Channel 20V 35A (Tc) 33W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 35A (Tc) |
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