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SI7615CDN-T1-GE3

SI7615CDN-T1-GE3

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Electro-Films (EFI) / VishayElectro-Films (EFI) / Vishay
Número de pieza:
SI7615CDN-T1-GE3
Fabricante / Marca:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción del producto:
MOSFET P-CH 20V 35A POWERPAK1212
Especificaciones:
SI7615CDN-T1-GE3.pdf
Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock:
257762 pcs stock
Nave de:
Hong Kong
Manera del envío:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Especificaciones de SI7615CDN-T1-GE3

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Número de pieza SI7615CDN-T1-GE3 Fabricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción MOSFET P-CH 20V 35A POWERPAK1212 Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible 257762 pcs stock Ficha de datos SI7615CDN-T1-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @Id 1V @ 250µA Vgs (Max) ±8V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) Paquete del dispositivo PowerPAK® 1212-8
Serie TrenchFET® Gen III RDS (Max) @Id, Vgs 9 mOhm @ 12A, 4.5V
La disipación de energía (máximo) 33W (Tc) embalaje Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta PowerPAK® 1212-8 Otros nombres SI7615CDN-T1-GE3TR
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo de montaje Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited) Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 3860pF @ 10V Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 63nC @ 4.5V
Tipo FET P-Channel Característica de FET -
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 20V
Descripción detallada P-Channel 20V 35A (Tc) 33W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 35A (Tc)
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