| Número de pieza | GB01SLT06-214 | Fabricante | GeneSiC Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descripción | DIODE SCHOTTKY 650V 1A DO214AA | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 55137 pcs stock | Ficha de datos | GB01SLT06-214.pdf |
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ | 2V @ 1A | Voltaje - Inverso (Vr) (máx) | 650V |
| Paquete del dispositivo | DO-214AA | Velocidad | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Serie | - | Tiempo de recuperación inversa (trr) | 0ns |
| embalaje | Tape & Reel (TR) | Paquete / Cubierta | DO-214AA, SMB |
| Otros nombres | 1242-1166-2 GB01SLT06214 |
Temperatura de funcionamiento - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 18 Weeks | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo de diodo | Silicon Carbide Schottky | Descripción detallada | Diode Silicon Carbide Schottky 650V 1A (DC) Surface Mount DO-214AA |
| Corriente - Fuga inversa a Vr | 10µA @ 6.5V | Corriente - rectificada media (Io) | 1A (DC) |
| Capacitancia Vr, F | 76pF @ 1V, 1MHz | Número de pieza base | GB01SLT06 |
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|---|---|---|
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