GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor| Número de pieza | GB01SLT12-252 | Fabricante | GeneSiC Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descripción | DIODE SILICON 1.2KV 1A TO252 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 53437 pcs stock | Ficha de datos | GB01SLT12-252.pdf |
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ | 1.8V @ 1A | Voltaje - Inverso (Vr) (máx) | 1200V |
| Paquete del dispositivo | TO-252 | Velocidad | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Serie | - | Tiempo de recuperación inversa (trr) | 0ns |
| embalaje | Original-Reel® | Paquete / Cubierta | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Otros nombres | 1242-1126-6 | Temperatura de funcionamiento - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 19 Weeks | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo de diodo | Silicon Carbide Schottky | Descripción detallada | Diode Silicon Carbide Schottky 1200V 1A Surface Mount TO-252 |
| Corriente - Fuga inversa a Vr | 2µA @ 1200V | Corriente - rectificada media (Io) | 1A |
| Capacitancia Vr, F | 69pF @ 1V, 1MHz | ||
| FEDEX | www.FedEx.com | Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país. |
|---|---|---|
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