GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor| Número de pieza | GB02SHT06-46 | Fabricante | GeneSiC Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descripción | DIODE SCHOTTKY 600V 4A | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 2134 pcs stock | Ficha de datos | GB02SHT06-46.pdf |
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ | 1.6V @ 1A | Voltaje - Inverso (Vr) (máx) | 600V |
| Paquete del dispositivo | TO-46 | Velocidad | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Serie | - | Tiempo de recuperación inversa (trr) | 0ns |
| embalaje | Bulk | Paquete / Cubierta | TO-206AB, TO-46-3 Metal Can |
| Otros nombres | 1242-1256 | Temperatura de funcionamiento - Junction | -55°C ~ 225°C |
| Tipo de montaje | Through Hole | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 18 Weeks | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo de diodo | Silicon Carbide Schottky | Descripción detallada | Diode Silicon Carbide Schottky 600V 4A (DC) Through Hole TO-46 |
| Corriente - Fuga inversa a Vr | 5µA @ 600V | Corriente - rectificada media (Io) | 4A (DC) |
| Capacitancia Vr, F | 76pF @ 1V, 1MHz | ||
| FEDEX | www.FedEx.com | Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país. |
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