| Número de pieza | GB02SLT12-214 | Fabricante | GeneSiC Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descripción | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 2A DO214AA | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 25318 pcs stock | Ficha de datos | GB02SLT12-214.pdf |
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ | 1.8V @ 1A | Voltaje - Inverso (Vr) (máx) | 1200V |
| Paquete del dispositivo | DO-214AA | Velocidad | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Serie | - | Tiempo de recuperación inversa (trr) | 0ns |
| embalaje | Original-Reel® | Paquete / Cubierta | DO-214AA, SMB |
| Otros nombres | 1242-1170-6 | Temperatura de funcionamiento - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 18 Weeks | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo de diodo | Silicon Carbide Schottky | Descripción detallada | Diode Silicon Carbide Schottky 1200V 2A (DC) Surface Mount DO-214AA |
| Corriente - Fuga inversa a Vr | 50µA @ 1200V | Corriente - rectificada media (Io) | 2A (DC) |
| Capacitancia Vr, F | 131pF @ 1V, 1MHz | Número de pieza base | GB02SLT12 |
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|---|---|---|
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