GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor| Número de pieza | MBR300200CTR | Fabricante | GeneSiC Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descripción | DIODE SCHOTTKY 200V 150A 2 TOWER | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 1662 pcs stock | Ficha de datos | MBR300200CTR.pdf |
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ | 920mV @ 150A | Voltaje - Inverso (Vr) (máx) | 200V |
| Paquete del dispositivo | Twin Tower | Velocidad | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Serie | - | embalaje | Bulk |
| Paquete / Cubierta | Twin Tower | Temperatura de funcionamiento - Junction | -40°C ~ 150°C |
| Tipo de montaje | Chassis Mount | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 4 Weeks | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo de diodo | Schottky | configuración de diodo | 1 Pair Common Anode |
| Descripción detallada | Diode Array 1 Pair Common Anode Schottky 200V 150A Chassis Mount Twin Tower | Corriente - Fuga inversa a Vr | 3mA @ 200V |
| Corriente - rectificada media (Io) (por Diode) | 150A | ||
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|---|---|---|
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