GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor| Número de pieza | MSRT200140(A) | Fabricante | GeneSiC Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descripción | DIODE MODULE 1.4KV 200A 3TOWER | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 1718 pcs stock | Ficha de datos | 1.MSRT200140(A).pdf2.MSRT200140(A).pdf |
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ | 1.2V @ 200A | Voltaje - Inverso (Vr) (máx) | 1400V |
| Paquete del dispositivo | Three Tower | Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Serie | - | embalaje | Bulk |
| Paquete / Cubierta | Three Tower | Otros nombres | MSRT200140(A)GN MSRT200140A |
| Tipo de montaje | Chassis Mount | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 10 Weeks | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo de diodo | Standard | configuración de diodo | 1 Pair Common Cathode |
| Descripción detallada | Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 1400V 200A (DC) Chassis Mount Three Tower | Corriente - Fuga inversa a Vr | 10µA @ 600V |
| Corriente - rectificada media (Io) (por Diode) | 200A (DC) | ||
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|---|---|---|
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