Número de pieza | IXFN110N60P3 | Fabricante | IXYS Corporation |
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Descripción | MOSFET N-CH 600V 90A SOT227 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
cantidad disponible | 4010 pcs stock | Ficha de datos | IXFN110N60P3.pdf |
VGS (th) (Max) @Id | 5V @ 8mA | Vgs (Max) | ±30V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | SOT-227B |
Serie | HiPerFET™, Polar3™ | RDS (Max) @Id, Vgs | 56 mOhm @ 55A, 10V |
La disipación de energía (máximo) | 1500W (Tc) | embalaje | Tube |
Paquete / Cubierta | SOT-227-4, miniBLOC | Otros nombres | 625715 |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Chassis Mount |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Tiempo de entrega estándar del fabricante | 24 Weeks |
Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 18000pF @ 25V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 245nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
Característica de FET | - | Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 600V | Descripción detallada | N-Channel 600V 90A (Tc) 1500W (Tc) Chassis Mount SOT-227B |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 90A (Tc) |
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