Número de pieza | IRF7413A | Fabricante | International Rectifier (Infineon Technologies) |
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Descripción | MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Contiene plomo / RoHS no conforme |
cantidad disponible | 5894 pcs stock | Ficha de datos | IRF7413A.pdf |
VGS (th) (Max) @Id | 1V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | 8-SO |
Serie | HEXFET® | RDS (Max) @Id, Vgs | 13.5 mOhm @ 6.6A, 10V |
La disipación de energía (máximo) | 2.5W (Ta) | embalaje | Tube |
Paquete / Cubierta | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Tipo de montaje | Surface Mount |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1800pF @ 25V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 79nC @ 10V |
Tipo FET | N-Channel | Característica de FET | - |
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 30V |
Descripción detallada | N-Channel 30V 12A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 12A (Ta) |
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