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Transistores bipolares (BJT)-Single
2SCR554P5T100

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LAPIS SemiconductorLAPIS Semiconductor
Número de pieza:
2SCR554P5T100
Fabricante / Marca:
LAPIS Semiconductor
Descripción del producto:
NPN 80V 1.5A MEDIUM POWER TRANSI
Especificaciones:
1.2SCR554P5T100.pdf2.2SCR554P5T100.pdf
Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock:
463726 pcs stock
Nave de:
Hong Kong
Manera del envío:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Especificaciones de 2SCR554P5T100

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Número de pieza 2SCR554P5T100 Fabricante LAPIS Semiconductor
Descripción NPN 80V 1.5A MEDIUM POWER TRANSI Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible 463726 pcs stock Ficha de datos 1.2SCR554P5T100.pdf2.2SCR554P5T100.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx) 80V VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 25mA, 500mA
Tipo de transistor NPN Paquete del dispositivo MPT3
Serie - Potencia - Max 500mW
embalaje Tape & Reel (TR) Paquete / Cubierta TO-243AA
Otros nombres 2SCR554P5T100TR Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante 10 Weeks Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición 300MHz Descripción detallada Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 1.5A 300MHz 500mW Surface Mount MPT3
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 100mA, 3V Corriente - corte del colector (Max) 1µA (ICBO)
Corriente - colector (Ic) (Max) 1.5A  
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