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Transistores-bipolar (BJT)-solo, presesgado
DTD123EKT146

DTD123EKT146

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LAPIS SemiconductorLAPIS Semiconductor
Número de pieza:
DTD123EKT146
Fabricante / Marca:
LAPIS Semiconductor
Descripción del producto:
TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3
Especificaciones:
1.DTD123EKT146.pdf2.DTD123EKT146.pdf
Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock:
417599 pcs stock
Nave de:
Hong Kong
Manera del envío:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Especificaciones de DTD123EKT146

LAPIS SemiconductorLAPIS Semiconductor
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Número de pieza DTD123EKT146 Fabricante LAPIS Semiconductor
Descripción TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3 Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible 417599 pcs stock Ficha de datos 1.DTD123EKT146.pdf2.DTD123EKT146.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx) 50V VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA
Tipo de transistor NPN - Pre-Biased Paquete del dispositivo SMT3
Serie - Resistor - Base del emisor (R2) 2.2 kOhms
Resistor - Base (R1) 2.2 kOhms Potencia - Max 200mW
embalaje Cut Tape (CT) Paquete / Cubierta TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Otros nombres DTD123EKT146CT Tipo de montaje Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited) Tiempo de entrega estándar del fabricante 10 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant Frecuencia - Transición 200MHz
Descripción detallada Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 200MHz 200mW Surface Mount SMT3 DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce 39 @ 50mA, 5V
Corriente - corte del colector (Max) 500nA Corriente - colector (Ic) (Max) 500mA
Número de pieza base DTD123  
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