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Productos semiconductores discretos
Transistores-bipolar (BJT)-matrices presesgadas
IMD1AT108

IMD1AT108

LAPIS Semiconductor
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LAPIS SemiconductorLAPIS Semiconductor
Número de pieza:
IMD1AT108
Fabricante / Marca:
LAPIS Semiconductor
Descripción del producto:
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
Especificaciones:
IMD1AT108.pdf
Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock:
462768 pcs stock
Nave de:
Hong Kong
Manera del envío:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Especificaciones de IMD1AT108

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Número de pieza IMD1AT108 Fabricante LAPIS Semiconductor
Descripción TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6 Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible 462768 pcs stock Ficha de datos IMD1AT108.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx) 50V VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 5mA
Tipo de transistor 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Paquete del dispositivo SMT6
Serie - Resistor - Base del emisor (R2) -
Resistor - Base (R1) 22 kOhms Potencia - Max 300mW
embalaje Tape & Reel (TR) Paquete / Cubierta SC-74, SOT-457
Tipo de montaje Surface Mount Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant Frecuencia - Transición 250MHz
Descripción detallada Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMT6 DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 1mA, 5V
Corriente - corte del colector (Max) - Corriente - colector (Ic) (Max) 100mA
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