Número de pieza | IMD1AT108 | Fabricante | LAPIS Semiconductor |
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Descripción | TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
cantidad disponible | 462768 pcs stock | Ficha de datos | IMD1AT108.pdf |
Tensión - Colector-emisor (máx) | 50V | VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 5mA |
Tipo de transistor | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) | Paquete del dispositivo | SMT6 |
Serie | - | Resistor - Base del emisor (R2) | - |
Resistor - Base (R1) | 22 kOhms | Potencia - Max | 300mW |
embalaje | Tape & Reel (TR) | Paquete / Cubierta | SC-74, SOT-457 |
Tipo de montaje | Surface Mount | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Frecuencia - Transición | 250MHz |
Descripción detallada | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMT6 | DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1mA, 5V |
Corriente - corte del colector (Max) | - | Corriente - colector (Ic) (Max) | 100mA |
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