LAPIS Semiconductor
LAPIS Semiconductor| Número de pieza | QH8MA2TCR | Fabricante | LAPIS Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N/P-CH 30V 4.5A/3A TSMT8 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 279073 pcs stock | Ficha de datos | 1.QH8MA2TCR.pdf2.QH8MA2TCR.pdf |
| VGS (th) (Max) @Id | 2.5V @ 1mA | Paquete del dispositivo | TSMT8 |
| Serie | - | RDS (Max) @Id, Vgs | 35 mOhm @ 4.5A, 10V |
| Potencia - Max | 1.25W | embalaje | Cut Tape (CT) |
| Paquete / Cubierta | 8-SMD, Flat Lead | Otros nombres | QH8MA2TCRCT |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 365pF @ 10V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 8.4nC @ 10V |
| Tipo FET | N and P-Channel | Característica de FET | Logic Level Gate |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 30V | Descripción detallada | Mosfet Array N and P-Channel 30V 4.5A, 3A 1.25W Surface Mount TSMT8 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 4.5A, 3A | ||
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