Número de pieza | SH8M41GZETB | Fabricante | LAPIS Semiconductor |
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Descripción | MOSFET N/P-CH 80V 3.4A/2.6A 8SOP | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
cantidad disponible | 84550 pcs stock | Ficha de datos | SH8M41GZETB.pdf |
VGS (th) (Max) @Id | 2.5V @ 1mA | Paquete del dispositivo | 8-SOP |
Serie | - | RDS (Max) @Id, Vgs | 130 mOhm @ 3.4A, 10V |
Potencia - Max | 2W | embalaje | Tape & Reel (TR) |
Paquete / Cubierta | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Otros nombres | SH8M41GZETBTR |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 600pF @ 10V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 9.2nC @ 5V |
Tipo FET | N and P-Channel | Característica de FET | Logic Level Gate, 4V Drive |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 80V | Descripción detallada | Mosfet Array N and P-Channel 80V 3.4A, 2.6A 2W Surface Mount 8-SOP |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 3.4A, 2.6A |
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