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Productos semiconductores discretos
Transistores-bipolar (BJT)-matrices presesgadas
UMG4NTR

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LAPIS SemiconductorLAPIS Semiconductor
Número de pieza:
UMG4NTR
Fabricante / Marca:
LAPIS Semiconductor
Descripción del producto:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5
Especificaciones:
1.UMG4NTR.pdf2.UMG4NTR.pdf
Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock:
599596 pcs stock
Nave de:
Hong Kong
Manera del envío:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Especificaciones de UMG4NTR

LAPIS SemiconductorLAPIS Semiconductor
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Número de pieza UMG4NTR Fabricante LAPIS Semiconductor
Descripción TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5 Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible 599596 pcs stock Ficha de datos 1.UMG4NTR.pdf2.UMG4NTR.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx) 50V VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 1mA, 10mA
Tipo de transistor 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Paquete del dispositivo UMT5
Serie - Resistor - Base del emisor (R2) -
Resistor - Base (R1) 10 kOhms Potencia - Max 150mW
embalaje Cut Tape (CT) Paquete / Cubierta 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Otros nombres UMG4NCT Tipo de montaje Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited) Tiempo de entrega estándar del fabricante 10 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant Frecuencia - Transición 250MHz
Descripción detallada Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount UMT5 DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 1mA, 5V
Corriente - corte del colector (Max) - Corriente - colector (Ic) (Max) 100mA
Número de pieza base *MG4  
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