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1N5804

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Número de pieza:
1N5804
Fabricante / Marca:
Microsemi
Descripción del producto:
DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL
Especificaciones:
1N5804.pdf
Estado RoHS:
Contiene plomo / RoHS no conforme
Condición de stock:
20808 pcs stock
Nave de:
Hong Kong
Manera del envío:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Especificaciones de 1N5804

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Número de pieza 1N5804 Fabricante Microsemi
Descripción DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL Estado Libre de plomo / Estado RoHS Contiene plomo / RoHS no conforme
cantidad disponible 20808 pcs stock Ficha de datos 1N5804.pdf
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ 875mV @ 1A Voltaje - Inverso (Vr) (máx) 100V
Velocidad Fast Recovery = 200mA (Io) Serie -
Tiempo de recuperación inversa (trr) 25ns embalaje Bulk
Paquete / Cubierta A, Axial Temperatura de funcionamiento - Junction -65°C ~ 175°C
Tipo de montaje Through Hole Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante 7 Weeks Estado sin plomo / Estado RoHS Contains lead / RoHS non-compliant
Tipo de diodo Standard Descripción detallada Diode Standard 100V 1A Through Hole
Corriente - Fuga inversa a Vr 1µA @ 100V Corriente - rectificada media (Io) 1A
Capacitancia Vr, F 25pF @ 10V, 1MHz  
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