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APTC60DDAM35T3G

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MicrosemiMicrosemi
Número de pieza:
APTC60DDAM35T3G
Fabricante / Marca:
Microsemi
Descripción del producto:
MOSFET 2N-CH 600V 72A SP3
Especificaciones:
1.APTC60DDAM35T3G.pdf2.APTC60DDAM35T3G.pdf
Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock:
1662 pcs stock
Nave de:
Hong Kong
Manera del envío:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Especificaciones de APTC60DDAM35T3G

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Número de pieza APTC60DDAM35T3G Fabricante Microsemi
Descripción MOSFET 2N-CH 600V 72A SP3 Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible 1662 pcs stock Ficha de datos 1.APTC60DDAM35T3G.pdf2.APTC60DDAM35T3G.pdf
VGS (th) (Max) @Id 3.9V @ 5.4mA Paquete del dispositivo SP3
Serie - RDS (Max) @Id, Vgs 35 mOhm @ 72A, 10V
Potencia - Max 416W embalaje Bulk
Paquete / Cubierta SP3 Otros nombres APTC60DDAM35T3GMP
APTC60DDAM35T3GMP-ND
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo de montaje Chassis Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited) Tiempo de entrega estándar del fabricante 32 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 14000pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 518nC @ 10V Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Característica de FET Standard Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 600V
Descripción detallada Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 600V 72A 416W Chassis Mount SP3 Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 72A
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