| Número de pieza | S2B-E3/5BT | Fabricante | Vishay Semiconductor Diodes Division |
|---|---|---|---|
| Descripción | DIODE GEN PURP 100V 1.5A DO214AA | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 1028634 pcs stock | Ficha de datos | S2B-E3/5BT.pdf |
| Tensión - inversa de pico (máxima) | Standard | Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ | 1.5A |
| Tensión - Desglose | DO-214AA (SMB) | Serie | - |
| Estado RoHS | Tape & Reel (TR) | Tiempo de recuperación inversa (trr) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Resistencia @ Si, F | 16pF @ 4V, 1MHz | Polarización | DO-214AA, SMB |
| Temperatura de funcionamiento - Junction | 2µs | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Tiempo de entrega estándar del fabricante | 26 Weeks |
| Número de pieza del fabricante | S2B-E3/5BT | Descripción ampliada | Diode Standard 100V 1.5A Surface Mount DO-214AA (SMB) |
| configuración de diodo | 1µA @ 100V | Descripción | DIODE GEN PURP 100V 1.5A DO214AA |
| Corriente - Fuga inversa a Vr | 1.15V @ 1.5A | Corriente - rectificada media (Io) (por Diode) | 100V |
| Capacitancia Vr, F | -55°C ~ 150°C | ||
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