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LRI2K-SBN18/1GE

LRI2K-SBN18/1GE

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STMicroelectronics

Especificaciones de LRI2K-SBN18/1GE

STMicroelectronics

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Número de pieza	LRI2K-SBN18/1GE	Fabricante	STMicroelectronics
Descripción	IC EEPROM MEMORY TAG WAFER	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	401539 pcs stock	Ficha de datos	LRI2K-SBN18/1GE.pdf
Memoria de escritura	2kb (User)	Tecnología	Passive
Estilo	Inlay	normas	ISO 15693, ISO 18000-3
Tamaño / Medidas	76.00mm x 45.00mm	Serie	LRI2K
Temperatura de funcionamiento	-20°C ~ 85°C	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Tipo de memoria	Read/Write	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia	13.56MHz	Descripción detallada	RFID Tag Read/Write 2kb (User) Memory 13.56MHz ISO 15693, ISO 18000-3 Inlay

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