STMicroelectronics
STMicroelectronics| Número de pieza | STD6NM60N-1 | Fabricante | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 600V 4.6A IPAK | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 61364 pcs stock | Ficha de datos | STD6NM60N-1.pdf |
| VGS (th) (Max) @Id | 4V @ 250µA | Vgs (Max) | ±25V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | I-PAK |
| Serie | MDmesh™ II | RDS (Max) @Id, Vgs | 920 mOhm @ 2.3A, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 45W (Tc) | embalaje | Tube |
| Paquete / Cubierta | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 420pF @ 50V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 13nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Característica de FET | - | Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 600V | Descripción detallada | N-Channel 600V 4.6A (Tc) 45W (Tc) Through Hole I-PAK |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 4.6A (Tc) | ||
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