STMicroelectronics
STMicroelectronics| Número de pieza | STL45N65M5 | Fabricante | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 650V 22.5A 4PWRFLAT | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 17274 pcs stock | Ficha de datos | STL45N65M5.pdf |
| VGS (th) (Max) @Id | 5V @ 250µA | Vgs (Max) | ±25V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | PowerFLAT™ (8x8) |
| Serie | MDmesh™ V | RDS (Max) @Id, Vgs | 86 mOhm @ 14.5A, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 2.8W (Ta), 160W (Tc) | embalaje | Cut Tape (CT) |
| Paquete / Cubierta | 8-PowerVDFN | Otros nombres | 497-13776-1 |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 3 (168 Hours) | Tiempo de entrega estándar del fabricante | 42 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3470pF @ 100V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 82nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Característica de FET | - | Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 650V | Descripción detallada | N-Channel 650V 3.8A (Ta), 22.5A (Tc) 2.8W (Ta), 160W (Tc) Surface Mount PowerFLAT™ (8x8) |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 3.8A (Ta), 22.5A (Tc) | ||
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