Toshiba Semiconductor and Storage
Toshiba Semiconductor and Storage| Número de pieza | RN1421TE85LF | Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descripción | TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 677408 pcs stock | Ficha de datos | RN1421TE85LF.pdf |
| Tensión - Colector-emisor (máx) | 50V | VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 2mA, 50mA |
| Tipo de transistor | NPN - Pre-Biased | Paquete del dispositivo | S-Mini |
| Serie | - | Resistor - Base del emisor (R2) | 1 kOhms |
| Resistor - Base (R1) | 1 kOhms | Potencia - Max | 200mW |
| embalaje | Tape & Reel (TR) | Paquete / Cubierta | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Otros nombres | RN1421(TE85L,F) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Tiempo de entrega estándar del fabricante | 11 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Frecuencia - Transición | 300MHz |
| Descripción detallada | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 800mA 300MHz 200mW Surface Mount S-Mini | DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 100mA, 1V |
| Corriente - corte del colector (Max) | 500nA | Corriente - colector (Ic) (Max) | 800mA |
| Número de pieza base | RN142* | ||
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