Toshiba Semiconductor and Storage
Toshiba Semiconductor and Storage| Número de pieza | RN1973(TE85L,F) | Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descripción | TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 734188 pcs stock | Ficha de datos | RN1973(TE85L,F).pdf |
| Tensión - Colector-emisor (máx) | 50V | VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Tipo de transistor | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) | Paquete del dispositivo | US6 |
| Serie | - | Resistor - Base del emisor (R2) | - |
| Resistor - Base (R1) | 47 kOhms | Potencia - Max | 200mW |
| embalaje | Tape & Reel (TR) | Paquete / Cubierta | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Otros nombres | RN1973(TE85LF)TR | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Frecuencia - Transición | - | Descripción detallada | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200mW Surface Mount US6 |
| DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 5V | Corriente - corte del colector (Max) | 100nA (ICBO) |
| Corriente - colector (Ic) (Max) | 100mA | ||
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