Toshiba Semiconductor and Storage
Toshiba Semiconductor and Storage| Número de pieza | RN2903FE(TE85L,F) | Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descripción | TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 1030618 pcs stock | Ficha de datos | RN2903FE(TE85L,F).pdf |
| Tensión - Colector-emisor (máx) | 50V | VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Tipo de transistor | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) | Paquete del dispositivo | ES6 |
| Serie | - | Resistor - Base del emisor (R2) | 22 kOhms |
| Resistor - Base (R1) | 22 kOhms | Potencia - Max | 100mW |
| embalaje | Tape & Reel (TR) | Paquete / Cubierta | SOT-563, SOT-666 |
| Otros nombres | RN2903FE(TE85LF)TR | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Frecuencia - Transición | 200MHz | Descripción detallada | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6 |
| DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 10mA, 5V | Corriente - corte del colector (Max) | 100nA (ICBO) |
| Corriente - colector (Ic) (Max) | 100mA | ||
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